ASML全新EUV光刻机严重飞跃,1000W功率+50％、产能+50％

2月25日消息，ASML阿斯麦近日确认，全新一代Twinscan NXE EUV光刻机研发进展顺利，光源功率将提升50％达到1000W，生产效率也将提升20％达到每小时330块晶圆，预计2030年或更晚时候面世。

ASML对这一成就极为自豪，并且信心满满，认为已经找到1500W光源的清晰技术路径，而且理论上讲做到2000W也不存在根本性障碍！

当然，达成1000W光源和完整的光刻系统，需要突破重重障碍。

第一，ASML必须尽快搞定2024年底就公布的三脉冲极紫外光生成技术。

它首先通过1微米的预脉冲(pre-pulse)，将锡滴压平，再经1微米的稀疏预脉冲(rarefaction pre-pulse)，使锡滴形成稀疏状态，最后由10微米的二氧化碳激光主脉冲，将锡滴转化为极紫外等离子体。

ASML已经为此技术申请了专利，但尚未商用落地，预计要等到这个10年末期退出的Twinscan NXE:4000系列光刻机。

第二，1000W光源必须配备全新的锡滴发生装置，使其发射频率提升近一倍，达到每秒10万个。

这一装置目前仍处于研发阶段，还得几年才能投入商业化。

第三，随着锡滴发射数量的大量增加，必然导致晶圆（更准确地说是晶圆保护膜）上的杂质残留量增加。

因此必须配备全新的杂质收集装置，快速清除它们。

第四，1000W光源产生之后，精准传导至晶圆也非常难，为此需要全新的高透射投影光学系统。

该系统进一步升级后，可将产能提升至每小时超过450块晶圆，对应的光源功率也将达到1500W左右。

第五，对晶圆台和掩模台也提出了新要求，必须同步完成升级。

第六，还需要全新的光刻胶和晶圆保护膜，与之适配。

所以，一台全新光刻机的诞生，并不只是ASML的工作，需要整个产业链做好全面准备。

值得一提的是，ASML还没有将1000W EUV光源整合到高、低数值孔径(NA) EUV光刻技术路线图中。

低NA方面，新一代Twinscan NXE:4000F光刻机计划2027年面市，针对1.xnm工艺节点设计，包括Intel 14A和台积电16A/14A)，套刻精度可达0.8nm，每小时产能超过250块晶圆。

2029年，我们将看到Twinscan NXE:4200G，产能每小时超过280块晶圆。

高NA方面，Twinscan EXE:5200C光刻机明年登场，每小时产能超过185块晶圆，套刻精度优于0.9nm。

2029年，Twinscan EXE:5400D光刻机将接踵而至，产能将突破每小时195片晶圆。