国产HBM3e封装表态：带宽960GB/s、适配3nm以下AI芯片

3月30日消息，HBM已经成为AI领域的关键芯片之一，重要性甚至不亚于GPU等计算芯片，HBM需求爆发也是导致本轮内存大涨价的主要推动力。

目前国际上最新一代的HBM已经到了HBM4，AMD及NVIDIA今年上市的MI450、Vera Rubin系列会率先用上HBM4内存，不过HBM3e依然会是主流的选择。

在日前的SEMICON China 2026展会上，也有国内厂商展出HBM相关产品，其中长电科技就拿出了HBM3e封装方案，采用先进的2.5D堆叠技术，互联密度提升20%，带宽提升到了960GB/s。

HBM3e可以完美适配3nm及以下工艺的高端AI芯片，而且目前已经获得AMD、NVIDIA等巨头的订单。

不过需要注意的是，长电科技是国内知名的芯片封装企业，本身并不生产HBM3e芯片，不论是Base Die基座芯片还是DRAM内存芯片，他们做的是封装解决方案，把这些芯片封装为HBM3e成品。

目前不确定他们的HBM3e芯片来源是哪家，当然万一是国产芯片解决了卡脖子问题就更好了。

也是在SEMICON China 2026展会上，长电科技CEO郑力在主题演讲中提到，传统晶圆制造已逼近1nm物理极限，成本与量子隧穿效应构成显著瓶颈，原子级封装正成为后摩尔时代的核心突破路径。

依托ALD原子层沉积、混合键合等四大核心技术，长电科技实现封装精度跨量级提升：对准精度从±5μm推进至<10nm，互联密度突破6万触点/mm²，界面间隙达到原子级无间隙，完成三个数量级的技术跨越。