ASML EUV 路线图曝光：Low NA 将服役至 2031 年，台积电三星松口气

4 月 17 日消息：据报道，ASML 在 2026 年第一季财报会议上披露了 EUV 光刻机在「低数值孔径（Low NA）」与「高数值孔径（High NA）」机种方面的最新路线图。

会议上，ASML释放了两条让台积电三星大客户安心的重磅信息。其一是Low NA EUV技术将继续服役至2031年；其二是High NA EUV加速走向量产阶段。

ASML CFO戴厚杰明确表示，2026年Low NA EUV出货至少60台，2027年至少80台，管理层已将供应链准备至Low NA 90台/年的产能能力。

到2030年，Low NA EUV设备每小时晶圆处理能力将从目前的220片提升至330片，产能增长50%。

客户报告显示，High NA技术可将EUV光刻所需掩模数量从3块减少到1块，工艺步骤从100步压缩至10步。该技术可覆盖未来3至4个制程节点，显著降低芯片制造成本。

ASML计划2027年推出NXE:5200C系统，主要面向2nm及以下制程节点。

三星电子已率先行动，计划采购两套High NA EUV设备用于2nm制程量产，分别于2025年底和2026年初交付。

台积电方面，首台High NA EUV光刻机已移送至全球研发中心，用于A14等未来先进工艺的开发。

此外，SK海力士已宣布订购价值约80亿美元的EUV设备，三星电子也下达了约40亿至50亿美元的订单。

ASML同步上调2026年全年净销售额预期至360亿至400亿欧元，同比增长10%至22%。