TCL 华星全球首发高迁 50 ARR 技术：LCD 屏实现 0.01Hz 超低刷新，功耗直降 50%

5 月 7 日消息：在 2026 年 SID Display Week 开幕首日，TCL 华星全球首发 14 英寸矩阵分区分频 Oxide 笔电屏。该产品搭载自研“超高迁 50"氧化物技术与 ARR 多区动态变频技术，首次实现 LCD 面板 0.01Hz 超低刷新率，屏幕功耗直降 50%。

在传统非晶硅方案中，迁移率天花板使其完全无法驱动这种超低刷新率；低温多晶硅虽迁移率高，但漏电流过大导致低频画面闪烁，同样无法胜任。

面对这两种技术路径各自无法绕开的结构性短板，TCL华星此次公开的超高迁50氧化物技术从三个维度展开了针对性突破。

其一，电子迁移率被推至50cm²/V·s。TCL华星携手细野秀雄教授，引入联动式旋转靶溅射成膜技术，叠加复合叠层设计与复合修复工艺，彻底解决了高迁材料中铟（In）含量过高带来的器件及工艺问题，材料迁移率大幅提升。

其二，稳定性问题被彻底攻克。通过对绝缘层中氢氧组分的精准平衡调控，实现低缺陷界面构筑与高致密阻隔层制备，漏电被有效抑制。

其三，全链路设计适配高分高刷场景。TCL华星通过新型电路架构开发与TFT器件结构优化，有效缓解迁移率提升带来的阈值电压漂移与自发热效应，充分释放高迁移率材料的性能潜力。

经过新型电路架构与TFT器件优化，超高迁50氧化物已具备驱动高分高刷场景的硬件基础。实现超低刷新只是第一步，如何让屏幕在不同区域灵活切换刷新率才是产品化的关键。

为此，AI技术被同步深度嵌入面板控制系统。 LCD屏幕被划分为若干个独立可控的刷新区域，在AI场景识别的加持下，视频区域维持高刷新率保证流畅度，静止区域则自动降至0.01Hz，硬件级功耗得到大幅压缩。

此外，AI画质补偿算法同步对各分区进行色域与亮度调校，保证高低刷切换时画面均匀无闪烁。

TCL华星已于2024年完成常规氧化物量产落地，2025年达成高迁30量产，并明确计划在2026年内实现超高迁50的规模化量产。

目前，搭载全球首款超高迁50氧化物技术的14英寸矩阵分区分频笔电屏已在SID完成全球首发。