国产 28nm 光刻机 SSA800 批量交付且良率超 90%?媒体辟谣:系假消息
2026-05-10 13:11:11
5 月 10 日消息:近日,一则关于上海微电子 28nm 浸没式 DUV 光刻机完成首批批量交付的消息刷屏半导体圈。
对此,芯智讯发布文章辟谣,直指该消息存在多处严重事实错误。
文章首先质疑了报道的信源问题。该报道仅以"据报道"含糊其辞,没有提及任何具体的权威来源,这对于光刻机这样的重大科技新闻来说,显然缺乏基本的严肃性。
报道声称"2026年1月,上海微电子在长三角半导体产业峰会上首次官宣SSA800系列实现全面量产"。但调查发现,这个所谓的“长三角半导体产业峰会”没有任何权威媒体报道,查不到举办时间、地点、主办方等任何基本信息。上海微电子官方也从未发布过相关公告。网上所有关于该峰会的内容,全部都是与"上海微电子官宣量产"绑定的自媒体通稿。
另一个不实说法是"2026年3月SEMICONChina展会上,上海微电子首次公开展示了SSA800样机"。芯智讯记者明确表示,自己当时就在展会现场,上海微电子的展台上根本没有这款设备。展会期间及结束后,也没有任何正规媒体报道过此事。
最离谱的是"量产良率90%~95%"的说法。一位光刻机厂商内部人士直言:"这是假消息,光刻机哪里来的良率。"光刻机是生产芯片的设备,本身不存在"良率"这一指标。
即便指的是用它生产芯片的良率,这个数字也过于夸张。要知道台积电28nm工艺2011年量产后,直到2012年8月良率才勉强超过80%。
一位国内晶圆代工厂人士透露,目前SSA800系列并未进入任何商业化晶圆厂,仍然在集成电路研发中心(ICRD)进行测试验证。所谓的"首批批量交付"和"量产工艺验证"均与事实不符。
据了解,SSA800实际上就是近几年市场一直传闻的国产“28nm光刻机”,是一款193nmArF浸没式光刻机,套刻精度控制在2.3~2.5nm,每小时可处理150片晶圆,对标的是ASML TWINSCAN NXT:1950i。后者的专用卡盘套刻精度为2.5nm,混合匹配套刻精度为3.5nm,每小时可处理200片晶圆。
文章最后表示,期盼国产光刻机突破是每一个中国人的朴素情感,但越是渴望,越应该守住理性底线。虚假的"放卫星"不仅会误导公众,还会破坏产业链踏实攻坚的严肃性。
真正的技术突围,从来不需要靠炒作来证明自己。

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