美光 256GB DDR5 内存突破 9200MT/s：速度提升 40%，功耗直降 40%

5 月 13 日消息，美光科技日前宣布：已开始向关键合作伙伴提供"256GB DDR5 RDIMM"（寄存式双列直插式内存模块）样品。该模块传输速率最高可达 9200 MT/s，比目前量产的 DDR5 内存快 40% 以上。

该模块基于美光1-gamma DRAM工艺打造。1-gamma是美光第六代10nm级节点，也是其首次采用EUV光刻技术量产的DRAM制程，单片晶圆输出密度较前代提升超30%，16Gb DDR5芯片速度快15%、功耗降超20%。

封装方面，该内存采用3D堆叠与硅通孔互联技术，将多颗DRAM颗粒立体堆叠，有效提升了单条容量和信号传输效率。

能效方面，单条256GB内存运行功耗为11.1瓦，相比两条128GB内存组合方案总功耗19.4瓦，可降低40%以上运行功耗。

该内存主要面向大型语言模型、代理式AI和实时推理等数据中心工作负载，能够在散热和功耗限制范围内最大化每个CPU插槽的内存容量。

美光正与生态系统合作伙伴在现有及下一代服务器平台上进行验证，以确保平台兼容性并加速大规模生产部署。美光尚未公布量产或商用时间表。

与此同时，行业标准也在持续升级。目前JEDEC正在推动DDR5 MRDIMM标准，计划将内存速度提升至12800MT/s，进一步满足人工智能时代的内存发展需求。

美光官方对256GB DDR5 RDIMM内存的定价尚未披露，而现有256GB DDR5服务器内存条的市场行情已超过5万元，单条售价落在5万至6万元区间。