美光预警：AI 算力爆发致内存短缺延续至 2026 年后

5 月 26 日消息：据报道，美光科技官方发出预警——受人工智能领域对"HBM"、"DRAM"及"NAND"产品需求激增影响，全球内存市场供应紧张局面将持续至 2026 年之后。

摩根大通发布投资报告称，美光科技管理层在第54届全球科技、媒体与通信年度大会上明确，当前HBM、NAND及DRAM芯片产能受限，难以满足人工智能模型性能提升的需求。

内存市场供需失衡加剧的直接原因包括代际更迭性能提升放缓、新型HBM芯片裸片尺寸增大，以及DRAM制造工艺中EUV光刻技术应用的复杂性提高。

1γ工艺节点被规划为美光历史上晶圆产量最高的DRAM节点，目前正加速将EUV光刻技术整合至该节点制造流程。

在HBM产品线上，美光科技的HBM4产能提升速度达到HBM3的两倍。下一代HBM4E内存计划于2027年量产，首批样品将搭载基于1γ工艺的DRAM模块。

美光科技在固态硬盘市场同样通过提供定制化产品提升份额。目前其已与客户展开深度合作，针对人工智能上下文窗口扩容及推理负载增长进行产品优化，以替代现成的通用型存储方案。