三星率先交付首批 12 层 HBM4E 样品：性能飙升超 20%，引领存储新纪元

5 月 29 日消息：三星电子宣布，已启动向全球主要客户交付业内首批"12 层 48GB HBM4E"样品。

在完成初步样品交付与优化后，三星计划根据客户的具体进度安排，启动HBM4E的量产工作。

HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定了AI训练与推理的效率。当前，HBM市场由三星、SK海力士和美光三巨头主导，其中SK海力士在HBM3及HBM3E阶段曾占据显著先发优势。

三星自2015年切入HBM赛道，产品已历经十代迭代。2026年2月，三星率先实现HBM4的量产，成为全球首家完成HBM4量产的企业。

据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用了第六代10纳米（nm）级DRAM工艺（1c）以及三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均有大幅提升，专为大模型、生成式AI及高性能计算场景打造。

与HBM4相比，HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，性能可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。整体性能提升超过20%，每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大限度提升大模型及下一代AI系统的计算性能。

容量方面，HBM4E提供48GB，比上一代产品增加了30%以上。三星还计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB（8层）和64GB（16层）配置。

此外，低功耗设计与封装优化使能效提升了16%，热阻改善超过14%，散热效率显著增强，有助于降低AI数据中心在高负载下的能耗。

当前，HBM市场呈现三星、SK海力士、美光三足鼎立的格局，各方你追我赶。

作为当前HBM市场的份额领导者，SK海力士的HBM4已于2025年9月量产；其HBM4E计划于2026年下半年送样、2027年量产，将采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基础裸片则由台积电以3nm工艺生产。

美光方面，HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E。消息称其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺——这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片同样委托台积电制造。