HBM堆到20层引发热量激增，SK海力士、三星、美光开启芯片散热技术竞赛

6月8日消息，英伟达最新AI平台Vera Rubin已进入量产阶段，SK海力士、三星和美光之间的竞争正由层数比拼转向技术攻坚，芯片内部的热管理已成为HBM5时代的关键突破口。

AI硬件加速迭代，英伟达、AMD新一代AI服务器GPU单芯片功耗逼近1000W。HBM4已堆叠12至16层，HBM5将迈向20层堆叠。

堆叠层数越高，HBM内部热量积聚越严重，过热会触发芯片降频、算力缩水、整机稳定性下降。英伟达和AMD等客户已明确要求HBM供应商加强散热管理。

SK海力士近期发布iHBM散热技术，将集成冷却元件内嵌到HBM中，在芯片内部开辟直通散热通道。

与传统设计相比，该技术可将热阻降低30%以上。SK海力士计划将iHBM应用于其HBM5及后续产品。

三星电子在Computex 2026上首次公开HBM5原型，并推出HPB散热方案，将导热块埋入多层DRAM裸片之间，相当于在堆叠芯片内部搭建多条独立散热烟囱。

该技术已在第七代HBM4E上完成验证，样品已于5月底首次交付客户。三星表示，该技术可将热阻降低16%，HBM5预计在2028年左右实现量产。

美光则主攻低功耗HBM设计，并辅以硅通孔沟槽冷却技术。通过在AI加速器芯片的硅芯片内部蚀刻微型沟槽，使冷却液在其中循环流动，从而降低内部热积累。

业内人士指出，散热技术升级将带动高导热材料、先进封装制程需求爆发，重塑半导体供应链。低功耗和热管理技术将是未来HBM研发的核心方向。