麒麟9030拆解：中芯国际N+3技术突破，无EUV工艺超越英特尔18A

6月17日消息，SemiAnalysis旗下STEEL实验室发布首份公开拆解报告，对华为Mate 80 Pro搭载的麒麟9030 Pro芯片进行了深度逆向分析。报告确认该芯片采用中芯国际第三代7nm级N+3工艺制造。

拆解显示，中芯国际N+3工艺的最小金属间距（M0 pitch）仅为32.5nm，比英特尔18A工艺在Panther Lake CPU上使用的36nm间距紧凑约10%。

在没有EUV光刻机的情况下，中芯国际通过纯DUV光刻实现了这一指标。

N+3的晶体管密度达到约113.4 MTr/mm²，略高于台积电N6的107.7 MTr/mm²。SemiAnalysis指出，英特尔18A高密度库的晶体管密度比N+3高出约38%。

N+3的M0层采用自对准四重图案化工艺，台积电N6在同一层需双重图案化。这意味着更多的光罩、更高的套刻精度要求和更复杂的工艺流程。

麒麟9030 Pro的大核运行频率为2.75GHz，GPU方面，Maleoon 935的3DMark跑分略超骁龙8+ Gen 1。

SemiAnalysis表示，出口管制并未完全阻断中国芯片的进步，反而推动了中芯国际在没有EUV光刻机的条件下，通过更复杂、成本更高的DUV多重图案化路径实现追赶。

值得一提的是，华为已转向韬定律技术路线，通过逻辑折叠等创新技术，以系统级集成而非单纯晶体管微缩来延续性能提升。