SK海力士发布12层HBM4E样品：引脚速率16Gbps，能效提升超20%

6月18日消息，SK海力士宣布，已向主要客户交付新一代AI专用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。

SK海力士表示：“凭借长期积累的HBM先导研发能力与量产经验，我们成功向客户提供了12层HBM4E样品。接下来将与核心客户紧密合作，全力确保按计划实现量产。”

相较上一代HBM4，HBM4E在性能与能效方面实现了跨越式升级。其引脚速率最高达16 Gbps，能效提升超过20%，显著增强了AI训练与推理所需的数据处理能力。

同时，通过新一代接口设计与架构优化，HBM4E有效降低了数据传输延迟，即使在极高带宽环境下也能保持稳定运行，有望进一步提升下一代AI数据中心及大规模计算系统的整体效率。

在制造工艺上，HBM4E采用先进的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）技术，在12层堆叠下实现48GB容量，同时进一步优化了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低约17%，确保在高性能计算环境中依然能够可靠运行。

消息公布后，SK海力士股价周四在韩国股市上涨4.17%，同期竞争对手三星电子微涨0.87%。年初至今，SK海力士股价累计涨幅已达287%，凸显市场对其在AI存储器领域持续创新的高度认可。