国产创新！谦合益邦推出全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

8月21日消息，谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款<span style="font-weight:bold;">4层3D DRAM堆叠存算一体芯片</span>成功回片并点亮，标志着该技术正式从验证阶段迈入工程落地。

该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构，在全球范围内首次实现4层DRAM在垂直方向的高密度堆叠，将计算单元与存储单元在三维空间深度融合，从架构层面突破了传统平面设计下“内存墙”瓶颈。

芯片采用“4+1”三维堆叠结构，以逻辑层为基底，之上垂直堆叠4层DRAM，将存储带宽与容量上限大幅拓展——堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理所能调用的资源就越充裕。

然而，每增加一层堆叠，良率、可靠性与热管理等工程挑战呈指数级上升：层间对准精度、垂直互连一致性、散热控制，每一环节都逼近设计与工艺极限。

此次“4+1”架构的成功实现，意味着谦合益邦在三维集成原生计算架构的工程化能力上已迈过4层堆叠的关键门槛，标志着我国在该领域取得重大技术突破。

得益于全新架构，该芯片实现性能的系统性跃升：数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗与延时降低一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升一个数量级，单次处理成本同步下降一个数量级。

这四项指标的同步突破，为云游戏等大规模并行计算与高并发数据流场景，提供了全新的硬件加速范式。

谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早聚焦3D存算一体、三维集成原生芯片架构及云游戏加速应用的芯片企业。

核心团队早在2018年便率先启动基于3D DRAM存算一体架构的芯片研发与量产探索——彼时“存算一体”尚停留于学术概念，团队已先行入局，历经六年的多轮流片、试错与架构迭代，积累起行业稀缺的技术壁垒。

如今，从架构定义、前后端设计，到先进3D封装与晶圆制造，谦合益邦联合国内产业链伙伴打通全流程闭环，实现核心技术自主可控。

近期，公司完成超20亿元B轮融资，长期股东及合作伙伴网易有道与中国移动链长基金在业务层面深度协同，为芯片的规模化落地提供了坚实的需求入口与验证场景。