三星工厂退出Exynos封装，全力转向AI内存HBM生产

9月5日消息，据报道，三星电子正在推进一项重大封装业务调整：忠清南道天安事业场负责的移动应用处理器（AP）Exynos封装生产将逐步终止，相关设备将全面转换为高带宽存储器（HBM）封装产线。

搭载于Galaxy S26系列部分机型和Galaxy Z Flip 8等产品的Exynos 2600仍将在天安生产，但今后推出的新一代产品将不再在天安另建专用封装产线。

三星电子下一代产品Exynos 2700的封装工序将转移至温阳事业场。据了解，温阳事业场虽设有部分晶圆级封装（WLP）设备，但并不完整，因此将天安事业场转为HBM专用产线成为自然选择。

这一调整与三星电子近期封装战略变化密切相关。三星电子正在评估，从Exynos 2700起不再采用此前两代产品使用的扇出型晶圆级封装（FO-WLP）技术。

FO-WLP虽能通过WLP应用改善散热特性，但工艺复杂性和良率负担导致封装制造成本上升，三星电子从盈利能力角度判断需要新的封装结构。

三星电子自2024年起已在忠清南道天安第三一般产业园区的三星显示闲置建筑中租赁空间，推进HBM先进封装产能扩张。

天安事业场的C1、C2、C3产线已处于满负荷HBM堆叠状态。三星电子还计划到2026年底前，将热压键合（TCB）月产能提升至23.1万颗，混合铜键合（HCB）月产能提升至1.95万颗，并规划到2029年完成HBM堆叠工艺从TCB向HCB的迭代。

三星电子正推进封装双轨化战略，计划年内完成温阳新工厂建设，用于HBM先进封装生产，以缓解天安工厂产能压力。

同时，三星电子正考虑将天安和温阳工厂的部分通用存储器后端加工产能转移至越南，旨在将韩国国内后道工序产能重新聚焦于HBM等高附加值产品。