中科院GAA晶体管突破：DUV光刻机实现3nm芯片制造，绕开EUV技术

9月18日消息，据报道，中国科学院近日公布了一种新型全环绕栅极（GAA）晶体管架构，在DUV光刻机上实现了开关比超过50万倍的性能表现，理论上可解锁3nm等效性能。

GAA晶体管与传统的FinFET不同，它的栅极从四面八方包裹住电流通道，对电流的控制更精准。打个比方，FinFET像用两根手指捏住水管，而GAA是用整只手攥住水管，几乎杜绝了漏电。

中科院此次开发的GAA晶体管开关比超过50万，意味着开启时流过的电流是关闭时的50万倍，展现出极佳的电气控制能力。更关键的是，这些晶体管据称是用DUV光刻机制造的。

DUV光刻机的分辨率本不足以直接刻画3nm级电路，通常只能通过多重曝光和浸没式DUV做到7nm级别。中科院的新晶体管架构打破了这一限制，通过放宽晶体管间距来保持性能，为DUV路线打开了通往3nm等效性能的理论窗口。

但理论归理论，实际制造环节还有一道硬关卡。芯片制造分为前道（FEOL）、中道（MEOL）和后道（BEOL）三个环节。中科院的新晶体管解决了前道环节的瓶颈，但中道MEOL的金属互连和后道M0层布线并未从中受益。

中科院此次突破的意义在于，它验证了在缺少EUV光刻机的条件下，中国芯片产业仍有一条从DUV向更先进制程逼近的技术路径。而MEOL和BEOL环节的瓶颈，将是这条路径能否真正走通的关键。