iPhone 18 Pro Max闪存极限测试：大负载下性能竟逊色于SD卡

9月21日消息，知名测试机构HOMOLAB对1TB版iPhone 18 Pro Max进行了存储性能实测。结果显示，该机型在持续高负载写入场景下，闪存速度大幅下降，甚至低于部分入门级microSD卡。

据悉，1TB版iPhone 18 Pro Max采用QLC闪存，每个存储单元可保存4比特数据。相比多数手机使用的TLC闪存（每单元3比特），QLC在相同物理空间内可提供更高容量，但速度和耐久性通常不及TLC。HOMOLAB将其与搭载512GB TLC闪存的iPhone 18 Pro进行了对比测试。

在加权4K读取测试中，两款机型表现接近，QLC版本得分46045，TLC版本为51282。在混合读写负载下差距明显扩大：低队列深度时TLC版本领先约38%，高负载场景下差距缩小至约12%。

测试显示，iPhone 18 Pro Max与多数现代手机一样，配备了一块高速SLC缓存以应对突发数据写入，缓存空间充足时速度可超过3000MB/s。一旦缓存耗尽，手机将回退至模拟TLC的二级缓冲区，平均写入速度为578MB/s，但波动较大。

当二级缓冲区也被占满后，数据将直接写入QLC闪存，此时持续写入速度平均仅为79.4MB/s，最低降至25.6MB/s，表现不及许多廉价microSD卡。

随着存储空间占用率上升，性能衰减进一步加剧。在容量使用60%的情况下，可用SLC缓存从空盘时的约250GB骤降至58GB，模拟TLC缓冲区平均速度降至396MB/s，原始QLC写入阶段平均速度仅为45MB/s，最低跌至1.1MB/s，明显落后于其他旗舰机型采用的TLC UFS 4.0存储。

外媒分析称，对于日常使用场景，如发送信息、浏览网页和普通拍照，这一性能差异通常难以感知。但用户在进行长时间4K或ProRes视频录制、大文件传输或备份恢复等持续高写入操作时，将明显感受到速度下降，而这些场景正是大容量版本用户可能频繁遇到的。