Intel推出全新ZAM内存：512GB单颗容量替代HBM，功耗降低50%

9月28日消息，阔别40多年后，Intel有望重新杀回内存市场。其手中不仅拥有自己研发的XBM内存，还有与软银合作开发的ZAM内存，后者的进度更快。

ZAM全称为Z-Angle Memory（Z角内存），采用特殊Z角互连架构，将多颗DRAM存储芯片紧密堆叠，再通过专属互连技术连通。

这个Z角的设计就是针对HBM内存当前存在的问题而来的，因为HBM内存芯片是平放堆叠，不利于热量释放，而ZAM内存是垂直堆栈，有利于热量快速释放出去，因此功耗更低，积热也没那么严重，解决了HBM内存未来最难解决的散热、功耗问题。

相比HBM内存，ZAM的产品优势十分突出：单芯片最高容量可达 512GB，功耗较HBM降低40%-50%，Z形互连设计还进一步简化了制造工艺流程，为后续规模化量产奠定基础。

ZAM内存目前是Intel与软银子公司SAIMEMORY联合研发，并且获得了日本政府的官方资助，设定了为期3.5年的研发计划。

日本媒体现在进一步报道称，ZAM内存最快会在2027年开始试产，商业化则是面向2029年。