长鑫G6内存面积缩减30%！DUV光刻机技术极限与首次应用的键合工艺解析

10月12日消息，据报道，国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。

该方案显示，长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米进一步缩减至0.000896平方微米，缩减幅度达30%。

在缺乏EUV光刻机的条件下，长鑫正通过深度优化DUV工艺组合，逼近该技术的物理极限。

据X平台技术人士Frederick Chen发布的预测数据，G6的单元面积微缩将通过继续优化193纳米DUV浸没式光刻机，结合自对准四重图案化（SAQP）技术来实现，部分层级则采用自对准双重图案化（SADP）工艺。

从工艺节点指标来看，G6的WL（字线）间距将从G5的33.3纳米进一步收紧至28纳米，BL（位线）间距从38.5纳米降至32纳米，AA（有源区）间距从23.9纳米降至20纳米。

光刻胶方案同步升级，AA切割层将从193i LE4升级为193i LE4或X-SADP，位线接触层也引入X-SADP选项。

键合工艺的首次引入是G6方案中最关键的技术变量。预测表格中，G6的M0层标注为“193i LELE bonded”，意味着长鑫计划通过晶圆级混合键合方式，将DRAM存储阵列与外围逻辑电路解耦制造后再堆叠互联。

这一思路与长鑫在4F²架构上的技术布局高度吻合。长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上曾明确表示，4F²架构的核心突破之一就是将DRAM与CMOS工艺解耦，再通过晶圆级混合键合实现高速互联，这是DRAM从二维缩放迈向三维集成的关键转折点，长鑫预计今年年底将推出融合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

G6可能是6F²内存芯片结构的最后一代产品。预测指出，长鑫已提前布局3D内存技术，其3D DRAM堆叠层数可达64层以上，预计2030年后推出的G7代产品可能转向4F²结构或3D内存架构。