存储大战升级：长鑫年底推出4F2 DDR5，三星确认4F2 DRAM开发完成

10月15日消息，第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办。三星电子在展会上确认，其<em>4F&sup2; DRAM</em>技术开发已经完成，量产时点正按客户节奏进行战略协调。

此前中国长鑫存储宣布将于2026年底推出基于4F²架构的服务器DDR5 RDIMM产品，引发存储市场震动。

4F²架构的核心在于将DRAM存储单元面积从主流的6F²压缩至4F²，单元面积缩小约30%，理论集成密度提升约50%。三星采用垂直沟道晶体管（VCT）与晶圆级混合键合技术，于今年2月在ISSCC 2026上首次展示了16Gb 4F² DRAM原型。

三星的路线图显示，10a DRAM计划2026年完成开发，2027年进行质量测试，2028年量产，后续10b与10c世代将持续优化4F²架构。

长鑫存储在10月9日至10日于上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，由总裁曹堪宇宣布年底推出融合4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用自研VSG垂直环绕栅极晶体管，通过垂直包围沟道结构强化栅极控制并解决漏电问题，长鑫已积累超过300件4F²相关公开专利族。

长鑫的宣布一度被市场解读为在4F²架构上领先三星约两年，但多位分析师对此持谨慎态度。投资机构Rosenblatt认为现阶段判定长鑫已取得决定性领先为时过早。

美国银行指出，美国对先进半导体制造设备的出口限制，可能促使长鑫更多依靠单元结构创新而非先进光刻工艺来缩小芯片面积。

韩国半导体行业专家酸言道，长鑫的宣布完全未提及大规模量产或样品供应等实质性商业化信息，甚至连具体产品规格与发布日程都未披露，更合理的解读是带有营销色彩的产品发布预告，而非全面量产信号。