韩国好日子即将结束,国产内存产能明年大涨30%:HBM3e成功推出
2026-10-16 15:45:28
10月16日消息,NVIDIA CEO 黄仁勋近日暗示某些企业在涨价时应适度,切勿将所有利润都囊括在内,大家都明白他是在谈论内存涨价的事情。
内存及闪存涨价让三星、SK海力士两家公司利润10倍增长,今年的净利润要创纪录了,单季度都是奔着1000亿美元去了,这也成为韩国的国运,经济、出口、税收全面受益于这一波内存闪存涨价。
但是这样的好日子不可能一直持续下去的,三星、SK海力士一直对外释放内存涨价要到2030年之后,甚至整个30年代都会缺货,只是这个想法不会如愿的,事实上内存市场反转的速度可能比他们的预期更快。
这就是最近几天韩国股市暴跌的原因——中国公司长鑫科技的内存产能涨的太快了,而且技术差距也在快速缩短,甚至比三星还要早2年量产4F2技术内存,可以进一步将内存密度提升30%以上。
之前我们报道过,长鑫的新产能在2028年开出,预计到时候总产能会在当前30万片晶圆/月的基础上翻倍到60万片晶圆/月。
最新消息显示,长鑫2027年的产能也有所上修,大概能增加30%产能,达到38-42万晶圆/月。
即将到来的Q3季度财报中,长鑫营收预计会增加10%,增速比以前也有所下降了,这主要是涨价滞后一个季度的影响,好消息是内存的毛利率还会继续增加。
长鑫目前在DDR、LPDDR这种通用型内存上追赶的很快,目前比三星海力士落后的主要是HBM内存上,他们今年量产了HBM4内存,长鑫明年才会推出HBM3e内存,目前的进展也比较顺利。
结合之前华为昇腾960芯片提前3个季度来看,HBM内存上国产追赶的速度也会非常快,甚至超过很多人的预期,昇腾960的9.6TB/s带宽已经是H200的2倍,比B300的8TB/s还要高,288GB的容量也远超H200的192GB,达到了B300的水平。
这就是一个明显的信号,明年国产HBM3e内存会有一个爆发期。

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