三星与SK海力士升级中国工厂应对竞争：200层以上NAND闪存量产

10月21日消息，据报道，面对中国竞争对手长江存储的快速崛起以及AI带来的巨大存储需求，三星电子与SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的NAND闪存芯片。

这一升级的核心，是将中国工厂的制造能力提升至与韩国本土看齐的水平。据知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产堆叠层数超过200层的NAND芯片。

三星方面，其西安工厂约占公司全球NAND产量的40%，目前正推进内部代号“Monami”的计划，将产线转换为286层V9 NAND，目标今年12月达到月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片。

SK海力士则计划将其大连工厂从目前的192层产品，升级至240层以上。

三星和SK海力士向媒体证实，升级工作正在与美国政府密切协商下进行，但未透露具体细节。三星强调，升级是为了满足包括美国在内的全球客户需求，并非扩大产能或新建工厂。

然而，监管仍是最大变数。自美国2022年实施出口管制以来，两家公司每年都需申请许可才能向中国工厂安装美制设备。美国商务部工业与安全局曾在2025年表示，无意批准用于升级技术或扩大产能的许可。

需要提醒的是，升级的背后是市场格局的剧烈变化。据Omdia数据，2026年第二季度长江存储在中国NAND市场的份额已达38.5%，超越三星的33.5%，SK海力士则从20%降至17%。

在全球范围内，长江存储的NAND出货量份额也已升至14%，位居全球第三。若不升级中国工厂的技术水平，韩系厂商在成本和产品竞争力上将面临更大压力。