美光跳过4F2直接进军3D DRAM，三星与长鑫先押4F：谁的策略更优？

10月27日消息，美光总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔近日接受媒体采访时明确表态，评估4F²技术超过20年后，美光认为它不在路线图上；将继续押注6F²架构与下一代3D DRAM。

就在美光说“不”的前十余天，长鑫存储总裁曹堪宇宣布年底推出4F²架构加VSG晶体管的服务器DDR5 RDIMM。三星DS部门CTO宋在爀在SEDEX 2026上被问及是否开发4F²时，回答“是的”。

SK海力士已在2025年VLSI上由CTO亲自发布4F²垂直栅平台与3D DRAM路线图。三家集体落子，唯独美光选择跳过。

4F²之所以被主流阵营视为关键节点，是因为它被普遍认为是通往3D DRAM的“必经台阶”。垂直沟道晶体管、存储阵列与外围电路分离、晶圆级混合键合，这几项3D DRAM的底座技术，恰恰要在4F²阶段先打牢。

美光想跳过4F²直扑3D DRAM，本质是在赌一条更短的路径。但这条更短的路径能否走通尚无定论，资本市场已经先给出了反应。

美光的焦虑恰恰来自基本面与股价的撕裂。美光2026财年第四季度营收542.3亿美元，毛利率87%，均创历史新高。但股价自6月25日1213.56美元高点持续回落，较高点回撤约23%。

市场给出的理由中，中国厂商在服务器DRAM上的进展重新点燃了定价与竞争担忧。

更耐人寻味的是，美光在EUV上曾有过“先否定、后跟进”的记录。2020年前后公开表示没有EUV计划，随后却向ASML支付预付款，最终成为三大原厂中最晚导入EUV的一家。

这一次对4F²说“不”，是技术判断的终局，还是又一次路径修正的前奏，时间会给出答案。