台积电应英伟达要求筹划3D内存，以解决缺内存问题

11月7日消息，据悉，台积电正在考虑生产3D DRAM内存芯片。推动这项计划的，是其最大客户——英伟达。

人工智能服务器对内存的需求持续增加，供应紧张也推高了价格，英伟达正在寻找更多供货来源，这次找上的不仅是内存厂商，还有长期为其代工芯片的台积电。

目前，全球DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光主导，三家公司都在扩充产能，但新工厂从建设到投产需要时间，新增供应也未必能完全跟上需求增长。

台积电考虑的3D DRAM，是把存储单元从平面排列改成向上堆叠，在有限的芯片面积内放入更多存储单元，提高内存容量密度。

这与HBM将多颗DRAM芯片堆叠封装的做法不同，3D DRAM进一步改变的是存储单元本身的排列结构，而不只是把现有芯片叠起来。

据知情人士透露，台积电负责先进封装业务的副总裁将牵头相关计划，其团队已有芯片三维堆叠经验，涉及CoWoS等先进封装技术。

在工厂方面，台积电正在评估两条路径，一是建设新的先进内存工厂，二是收购现有厂房并改造成内存生产设施，后者有望缩短从建设到投产的准备时间。

如果台积电最终进入DRAM生产，将与三星、SK海力士和美光在先进内存领域展开竞争，目前生产时间表尚未披露，台积电和英伟达也未回应相关置评请求。