华邦电子引入EUV设备，力争2030年实现14nm DRAM量产

11月11日消息，据报道，华邦电子正在积极推进其DRAM和NOR Flash技术路线图，计划引入EUV光刻技术。

华邦电子总经理陈沛铭透露，目前正在开发两代14nm DRAM工艺，是否采用EUV光刻技术是两者的主要区别之一，加入EUV的产品目标2030年推出。

陈沛铭表示，EUV可以减少生产步骤，从而缩短加工时间，并提高良品率。华邦电子与ASML在EUV方面展开合作已有三年半，正派遣员工赴ASML接受培训，为后续引入EUV光刻技术做好准备。

ASML承诺首个EUV光刻系统交付时间大概在两年内，后续系统根据当前交货周期预计需要等三年半。

更长的设备交货周期也影响了华邦电子的扩张计划。陈沛铭称，部分设备交货时间已经超过两年，使得华邦电子不得不提前很长时间下单。

华邦电子计划今年12月开始在中国台湾高雄建造新工厂，预计2029年投入运营，2030年实现大规模生产。