内存持续短缺：增产缓慢加剧供应危机

SK 海力士是今年唯一一家达成增产的内存厂商，旗下清州工厂已于今年 2 月启动 HBM（高带宽内存）量产；其它厂商则处于观望阶段，或仍在进行厂房浇筑与设备调试，其产能预计要到 2027 年底甚至 2028 年方能释放。

三星、SK海力士、美光三家公司占据了全球DRAM市场约九成份额，它们也是仅有的能够生产HBM芯片的半导体厂商。

这些公司优先发展HBM，挤占了DRAM产能，导致内存短缺状况从去年第四季开始愈演愈烈，开年以来内存价格较上季度上涨90%。预计到今年年中，内存采购费用占手机制造成本的比例将由20%升至40%，智能手机市场因此萎缩13%，内存短缺还将波及汽车行业。

调研机构估计，要解决内存供应短缺，半导体行业至2027年需增产12%，而计划中的新增产能目前只有7.5%——增产计划包括：

SK海力士的龙仁工厂群。公司正加紧建设，预计27年2月启用首座洁净室，比原计划提前三个月，海力士是增产最积极的厂商，要表扬。

（这是效果图，实际情况如下图所示）

美光位于爱达荷与新加坡的新工厂要到明年下半年才能投产，远水解不了近渴：

三星电子平泽第四工厂有望年内建成，但量产要到27年，而且这家工厂同时生产逻辑芯片，DRAM产能受影响；平泽第五工厂还在土建，主要生产HBM，最快28年量产。

由于新增产能要到明年下半年才开始陆续兑现，DRAM产能提升速度只能满足六成需求，供应危机会一直持续27年，海力士甚至认为短缺状况会持续到2030年。装饰条这种妖孽还要活跃很久……

疫情后IT泡沫破裂曾致使多家半导体厂商亏损，其中铠侠录得史上最惨重亏损，美光与海力士也出现净亏，这些厂商至今仍心有余悸。因泡沫破裂受创最深的铠侠正犹豫是否新建第三座生产设施，“我们将根据市场增长状况进行理智投资”，铠侠新任总裁大田裕雄称。