Intel与联电合作进军3nm代工市场

6月20日消息，Intel已与全球第四、中国台湾第二大晶圆代工厂联电（UMC）达成新的合作，继续携手进军3nm工艺代工。

这也是双方在12nm代工上共同公关之后的，又一深度合作。

联电2017年放弃了10nm及更先进工艺的竞争，专注成熟工艺，一如GlobalFoundries(格芯)，市场份额也一再萎缩，2026年第一季度仅为3.9％，不但根本看不见隔壁的台积电(72.3％)，更是不如三星(6.5％)、中芯国际(5.1％)。

Intel开启IDM 2.0战略后，找来联电合作，共同开发12nm FinFET工艺平台，使用位于美国亚利桑那州凤凰城Ocotillo园区的晶圆厂。

目前，该工艺的设计套件预计2026年内交付客户，2027年初完成流片，当年底实现量产，主要面向物联网、Wi-Fi芯片等市场。

如今再次携手3nm工艺，也会使用Ocotillo园区的晶圆厂，但具体哪一座说法不一，有的认为是成熟的Fab 12/22/32，有的声称是最新的Fab 52。

合作中，Intel将提供强大的制造能力，联电则贡献丰富的成熟工艺代工经验，包括客户资源。

借此合作，Intel可以进一步熟悉代工市场和客户，联电则无需巨额投入，就能加入先进工艺战场。