三星发布下一代内存存储技术与AMD合作展示CXL内存扩展方案

10月13日消息，三星在OCP全球峰会2026上公布了下一代内存与存储技术战略，以及与全球合作伙伴的合作成果。

三星概述了旨在提升AI基础设施性能的三大关键技术方向：高带宽存储器（HBM）、基于Compute Express Link（CXL）的存储扩展技术，以及利用新一代固态硬盘（SSD）的数据存储与管理解决方案。

三星电子与AMD联合展示了基于CXL的内存扩展解决方案。通过基于CMM-D的内存池化技术，三星电子展示了跨多个系统高效利用内存资源、灵活保障人工智能环境所需内存容量的能力。

三星电子的下一代存储器和代工技术是提升人工智能基础设施性能的关键要素，预计该公司将与全球大型科技公司扩大合作，共同构建人工智能基础设施。

今年以来，多家全球大型科技公司的高管纷纷拜访三星电子，其中包括AMD首席执行官苏姿丰。

苏姿丰本月初访问韩国期间，曾提及与包括三星电子在内的韩国企业开展合作的可能性，并持续寻求在存储器和代工领域的合作机会。

在本次OCP活动中，三星电子AE团队高级副总裁Ho-Jun Sim就“为人工智能时代扩展创新：利用高度可扩展的内存保持计算全速运行”这一主题发表了演讲。

随着人工智能模型规模扩大，推理过程所需的数据量和键值缓存容量也随之增加，因此，不仅内存带宽，容量扩展以及数据存储和管理技术对提升人工智能系统性能也变得至关重要。

在速度方面，通过HBM5、定制HBM、zHBM和PIM等新一代内存技术提升数据处理速度和计算效率。

在内存可扩展性方面，利用CMM-D和CXL等技术扩展AI系统的内存容量，并提高数据管理效率。

在数据持久性方面，计划利用SSD、QLC和FDP等下一代存储技术提高大规模AI数据的存储性能、容量和管理效率。