台积电进军3D DRAM无望，长鑫扩产成最大威胁

11月11日消息，针对市场传闻台积电应英伟达要求评估进军3D DRAM，有DRAM教父之称的兆捷科技董事长、长江存储前执行董事长高启全在11月10日的媒体交流会上给出了直接的判断：台积电做不来3D DRAM。

高启全的核心论据在于技术壁垒的本质差异。他指出，逻辑芯片与DRAM是完全不同的技术领域，即使台积电拥有全球最先进的晶圆制造能力，也不代表具备DRAM的量产竞争力。

他回顾早年世界先进曾尝试跨入存储器领域，最终以失败告终并转回代工，认为台积电不可能再走这条回头路。

相比台积电的跨界传闻，高启全认为真正的行业冲击来自大陆长鑫存储的疯狂扩产。他警告，长鑫存储正在北京、上海等地建设晶圆厂，大量新增产能预计在两年内开出。

高启全强调，届时即使长鑫仍受限于EUV管制而停留在成熟制程，庞大的产能规模也足以引发全球存储器市场供过于求，并对全球存储巨头造成巨大生存压力。

对于外界热议的3D DRAM技术路线，高启全同样持保留态度，认为现阶段无法轻易实现。而台积电方面对相关传闻的回应则维持一贯立场：不评论市场猜测。

这场围绕3D DRAM的争论，本质上是在AI存储需求爆发与地缘政治管制夹击下，晶圆代工与存储器制造两大阵营边界的一次压力测试。