SK海力士HBM4良率突破70%！加速量产迎战三星与美光

11月13日消息，据报道，SK海力士第六代高带宽内存HBM4的良率已突破70%大关。尽管SK海力士尚未正式公布官方数据，但业界普遍认为，这一进展标志着HBM4的量产爬坡已进入稳定阶段。

良率从60%提升至70%，意味着在同等生产投入下，合格产品的产出量增加了约16.7%。在HBM这类高难度堆叠封装产品中，良率的每一次爬升都直接关系到产能释放与成本控制。

SK海力士HBM4的规格相当激进。它采用最高24Gb DRAM密度，支持2048个I/O通道，单堆叠带宽突破2TB/s。16层堆叠版本容量可达48GB，功耗效率较HBM3E提升超40%，耐热性改善14%以上。

同时，封装内部集成了超过2万个硅通孔和1.6万余个底部微凸点。

需要提醒的是，这场良率竞赛的对手同样在加速。三星HBM4良率据传已接近80%，并于2026年8月提前达到其年底目标。美光则表示其HBM4产能爬坡速度是上代HBM3 12层产品的两倍，良率改善更快，产品将用于英伟达下一代Vera Rubin平台。

在AI算力对内存带宽极度饥渴的当下，HBM4的良率爬坡速度，直接决定了SK海力士、三星与美光三巨头谁能率先锁定下一代AI加速器的订单。70%的良率是一个关键节点，但从70%到80%乃至更高的竞争，才刚刚开始。