中国存储产业逆袭：DRAM教父揭示长鑫产能冲击全球市场，长江存储实力领先全球

11月11日消息，拥有DRAM教父之称的兆捷科技董事长高启全，在11月10日兆捷科技上市前媒体交流会上表示，长鑫存储已在北京、上海等地大举扩建，规模极为庞大，两年后产能将大量开出；届时全球DRAM市场将陷入供过于求。

高启全曾任南亚科总经理、华亚科董事长，并在英特尔、台积电任职，在中国台湾存储产业圈具有相当分量。

他特别反驳了业界流传的乐观判断，即“中国大陆产能仅供内需，不致影响全球市场”。高启全认为这只是当前短期表象，即便长鑫存储因缺乏EUV设备而使用成熟制程，产能一旦大量倾泻，市场仍将出现严重供过于求。

高启全还谈及NAND Flash市场的竞争态势，他提到早年参与创立的长江存储，其NAND Flash技术已具备全球领先实力，甚至将专利授权给三星与美光。

如今长江存储围绕Xtacking架构的全球专利超过12800件，其中混合键合核心专利119件，2025年三星已与长江存储签署3D NAND Flash混合键合专利许可协议，从V10 NAND开始使用该技术。

高启全还指出，一旦市场短缺，国际终端客户仍会向中国大陆供应商采购，美国政府也难以全面阻绝。